参数	值
产品	未分类
型号编码	TSM650N15CS RLG
说明	未分类   8-SOP 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	Taiwan Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	119 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	9A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1783pF @ 75V
功率	12.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	65 毫欧 @ 4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOP
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)